机译:MgSe / CdSe耦合量子阱,具有优化的MgSe耦合层厚度和约1.55μm的近红外子带间吸收
II-VI semiconductor; molecular beam epitaxy; coupled quantum wells; intersubband transitions;
机译:MgSe / CdSe耦合量子阱,具有优化的MgSe耦合层厚度和约1.55μm的近红外子带间吸收
机译:MgSe / CdSe量子阱中近红外区域内子带间器件的势垒层厚度优化
机译:在InP衬底上生长的MgSe / ZnSe / CdSe耦合量子阱,子带间吸收覆盖1.55μm
机译:MBE Bezncdse四季度的成长,Mgse / Bezncdse超晶格和INP基板上的量子井结构
机译:CdSe胶体量子阱中的偏振近红外子带间吸收
机译:设计应变平衡的GaN / alGaN量子阱结构:应用于1.3和1.55μm波长的子带间器件
机译:基于子带间吸收的多量子阱传感器的波长不敏感辐射耦合