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【24h】

MgSe/ZnSe/CdSe coupled quantum wells grown on InP substrate with intersubband absorption covering 1.55 μm

机译:在InP衬底上生长的MgSe / ZnSe / CdSe耦合量子阱,子带间吸收覆盖1.55μm

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摘要

The authors report the observation of intersubband (ISB) transitions in the optical communication wavelength region in MgSe/ZnSe/CdSe coupled quantum wells (QWs). The coupled QWs were grown on InP substrates by molecular beam epitaxy. By inserting ZnSe layers to compensate the strain, samples with high structural quality were obtained, as indicated by well resolved satellite peaks in high-resolution x-ray diffraction. The observed ISB transition energies agree well with the calculated values.
机译:作者报告了在MgSe / ZnSe / CdSe耦合量子阱(QWs)的光通信波长区域中子带间(ISB)跃迁的观察。耦合的量子阱通过分子束外延生长在InP衬底上。通过插入ZnSe层以补偿应变,可以得到具有高结构质量的样品,如高分辨率X射线衍射中良好分辨的卫星峰所示。观察到的ISB跃迁能量与计算值非常吻合。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2014年第23期|1-4|共4页
  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, The City College of New York, New York, New York 10031, USA;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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