机译:在InP衬底上生长的MgSe / ZnSe / CdSe耦合量子阱,子带间吸收覆盖1.55μm
Department of Electrical Engineering, The City College of New York, New York, New York 10031, USA;
机译:在InP衬底上生长的MgSe / ZnSe / CdSe耦合量子阱,子带间吸收覆盖1.55μm
机译:MgSe / CdSe耦合量子阱,具有优化的MgSe耦合层厚度和约1.55μm的近红外子带间吸收
机译:MgSe / CdSe耦合量子阱,具有优化的MgSe耦合层厚度和约1.55μm的近红外子带间吸收
机译:MBE Bezncdse四季度的成长,Mgse / Bezncdse超晶格和INP基板上的量子井结构
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:CdSe胶体量子阱中的偏振近红外子带间吸收
机译:在INP上生长的应变补偿InGaAs / Alas量子井结构的短波长运动轴吸收