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机译:透明AZO / ZnO / ITO电阻随机存取存储器件的制备及其ZnO有源层沉积的温度依赖性开关特性
Transparent Electronics; Resistive Random Access Memory (RRAM); ZnO; Thin Films; Temperature Dependence;
机译:透明AZO / ZnO / ITO电阻随机存取存储器件的制备及其ZnO有源层沉积的温度依赖性开关特性
机译:通过双极性双成型增强AZO / ZnO_(1-x)/ ITO透明电阻存储器件的开关均匀性
机译:通过调节顶部电极的氧空位浓度来增强AZO / ZnO / ITO透明电阻开关器件的存储窗口
机译:过氧化氢表面氧化ZnO基透明电阻存储器件的电阻切换特性
机译:基于氧化Ha的电阻式随机存取存储器件的制造与表征。
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:柔性聚(9,9-二辛基氟烯-ALT-苯并噻唑)(PFBT)ZnO纳米粒子混合电阻开关存储器装置的温度依赖性疲劳衰竭
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。