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机译:字线应力导致的20 nm闪存存储器的可靠性退化机制
NAND Flash Memory; Word Line Stress; Degeneration Mechanism; Program/Erase Cycle;
机译:由于字线应力为20-nm闪存的可靠性退化机制
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机译:通过多级单元闪存可靠性分析研究容错航空电子记忆设计