机译:结合CESL应力源和SiGe通道的NMOSFET和PMOSFET器件的比较
Contact-Etch-Stop-Layer (CESL); SiGe Channel; Strained-Si Technology; Stress Distribution;
机译:结合CESL应力源和SiGe通道的NMOSFET和PMOSFET器件的比较
机译:剪切应变和量子限制对具有高应力CESL的沟道nMOSFET的影响
机译:具有SiGe通道和嵌入式SiGe源/漏应力源的应变pMOSFET的特性和热载流子效应
机译:在加热和热载流子应力下具有SiGe沟道和嵌入式SiGe源/漏应力源的应变pMOSFET
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:剪切应变和量子限制对110应道高应力CEsL nmOsFET的影响