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机译:等离子体诱导的表面损伤对干法刻蚀制备的GaN柱的光电化学性能的影响
机译:等离子体诱导的表面损伤对干法刻蚀制备的GaN柱的光电化学性能的影响
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:在通过电化学和光电化学蚀刻相结合的多孔GaN模板上生长的GaN膜和GaN / InGaN发光二极管的电学和结构特性
机译:通过光电化学湿法刻蚀制备的AlGaN / GaN电流孔径垂直电子晶体管
机译:使用光电化学蚀刻制造的氮化镓基微腔发射极。
机译:混合激光烧蚀和硅烷化工艺制备的微柱阵列对超疏水表面的液滴影响
机译:通过光电化学蚀刻制备的GaN纳米结构的空间分辨阴极发光
机译:GaN的高密度等离子体诱导蚀刻损伤