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机译:富硅6H和4H-SiC(0001)3x3表面氧化和最初的SiO2 / SiC界面形成于25至650摄氏度-art。没有。 165323
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机译:通过低能电子衍射检索3C-SiC(111),4H-SiC(0001)和6H-SiC(0001)表面的(3X3)表面重建的晶体学
机译:氢蚀刻处理6H-和4H-SiC(0001)Si表面富集度:降低重构体形成温度的方法
机译:6H-和4H-SiC(0001)3x3的室温初始氧化
机译:通过热氧化制备具有接近理想电容-电压特性的SiO2 / 4H-SiC(0001)界面