机译:掺杂量对金属辅助化学刻蚀制备的硅纳米线孔隙率的影响
metal-assisted chemical etching; silicon nanowires; etching model; porous silicon;
机译:掺杂量对金属辅助化学刻蚀制备的硅纳米线孔隙率的影响
机译:简并掺杂硅纳米线的金属辅助化学刻蚀中的孔隙率控制
机译:具有不同掺杂水平的金属辅助化学蚀刻金属辅助化学蚀刻形成的纳米线阵列的光声表征
机译:H_2O_2浓度对金属辅助化学蚀刻的硅纳米线生长结构的影响
机译:作为3D纳米制造平台的硅金属辅助化学蚀刻的开发。
机译:揭示金属辅助化学刻蚀过程中多孔硅纳米线的形态演变和刻蚀动力学
机译:通过模板辅助形态学设计和金属辅助化学刻蚀制备的有序硅纳米线