首页> 外文期刊>Электронная Обработка Материалов >Фотовольтаические структуры ITO/SiO_x-Si повышенной эффективности
【24h】

Фотовольтаические структуры ITO/SiO_x-Si повышенной эффективности

机译:效率提高的光伏结构ITO / SiO_x / n-Si

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Изготовлены структуры ITO/SiO_x-Si пульверизацией растворов хлоридов индия и олова на поверхность (100) пластин кремния с удельным сопротивлением 4,5 Ом·см. Изучено влияние состояния поверхности Si на эффективность структур как фотоэлектрических преобразователей. Показано, что наиболее эффективными являются структуры с непротравленной поверхностью пластин кремния. Солнечные элементы на основе исследованных структур ITO/SiO_x-Si с инверсным слоем демонстрируют в условиях AM 1,5 эффективность, близкую к 16%.
机译:ITO / SiO_x / n-Si结构是通过将铟和氯化锡溶液以4.5欧姆·厘米的电阻率喷涂到硅片的(100)表面上而制成的。已经研究了Si表面的状态对作为光电转换器的结构效率的影响。结果表明,最有效的是具有未蚀刻的硅晶片表面的结构。基于研究的具有反转层的ITO / SiO_x / n-Si结构的太阳能电池在AM 1.5条件下的效率接近16%。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号