Солнечные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник (ПДП) получены осаждением пиролитической пульверизациейпрозрачных проводящих слоев ITO на кремниевые подложки. Такие структуры можно считать диодами Шоттки с тонким изолирующим слоем SiO_2, образующимся в процессе нанесения пленки ITO. Изучение вольт-амперных характеристик структур n~+ITO/SiO_2Si показало наличие двух механизмов прохождения тока в прямом направлении: туннельно-рекомбинационного при смещениях менее 0,3 В и эмиссионного при больших смещениях. В первом случае ток обусловлен многоступенчатыми туннельно-рекомбинационными переходами электронов из зоны проводимости Si в зону проводимости ITO с числом ступеней порядка 100. Во втором случае рассчитанная из вольт-амперных характеристик высота потенциального барьера на границе ITO-Si составляет 0,65-0,68 эВ.
展开▼
机译：通过在硅基板上热解溅射沉积透明导电ITO层，可以获得基于半导体-绝缘体-半导体（PDS）结构的太阳能电池。可以将这种结构视为具有在ITO膜沉积期间形成的薄绝缘SiO_2层的肖特基二极管。对n〜+ ITO / SiO_2 / nSi结构的电流-电压特性的研究表明，存在正向电流通过的两种机理：偏压小于0.3 V时的隧道复合和偏压较大时的发射。在第一种情况下，电流是由于电子从Si的导带到ITO的导带的多步隧穿-复合跃迁而进行的，步数为100。在第二种情况下，根据电流-电压特性计算出的ITO-Si界面势垒的高度为0.65-0.68 eV。
展开▼
