並列型LiNbO_3光変調器のバイアス制御方法に関する検討

摘要

我々のグループでは，LiNbO_3光変調器の基本構造となるマッハツェンダ型干渉構造の光入射側のY分岐部分に新たな電極を設置することで，光変調器の消光比を改善する報告を行った．今回これらの方法を多値変調技術に応用することを考え，並列型マッハツェンダ構造を有するLiNbO_3光変調器でのバイアス制御方法についてシミュレーションを行い確認した．また新たな電極構造を設置すると，その電極から発生する電界により光の位相変化が生じるため，その位相変化を考慮したバイアス制御方法が必要となる。本研究では実際にその位相変化の影響を実験によって確認し，その構造を並列型LiNbO_3光変調器の構造に導入するためのバイアス制御方法について検討した．