非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測

摘要

半極性·無極性面GaN基板上InGaN量子井戸では、c軸に垂直な方向の偏光が強く発光するため、端面出射型レーザを作製する際にm面などのへき開しやすい面を共振器ミラーに用いることができないという不都合が生じている。そこで、今回、偏光制御の可能性を探るため、AlInGaN混晶材料を基板に用いた場合の活性層InGaN量子井戸の偏光特性を理論予測した。その結果、基板の面方位·混晶組成、活性層の量子井戸幅などを制御することによって、m面などを共振器ミラーに用いるのに都合の良い偏光特性が実現可能であることがわかった。