Cu/Low-k構造プロセスの課題と洗浄技術：装置からみた今後のBEPにおける洗浄の課題と洗浄技術

摘要

近年の半導体の配線工程(BEOL)はロジックデバイスだけでなく、メモリデバイスにおいてもCuが使われ出し、Cu/Low-k構造の配線は益々増加している。 今後の微細化の推移からこのまま行くと、2010年には90％以上のデバイスメーカでCu/Low-kの構造になる計算である。 従って、DRAMで45nm、1/2 pitch世代以降にこの構造のプロセスの完成度を上げることが、半導体プロセス全体の向上にもつながることになる。そんな中、洗浄工種は、工程内、工程間で数多くの処理を担うため大変重要なポジションである。ここでは、今後の配線工程の中の洗浄工程における課題を挙げ、薬液や装置がどのように対応すべきかについて述べる。