半導体InP-IQ変調器を用いた光64QAM変調

摘要

次世代の幹線系·アクセス系超高速光ファイバ伝送向けに、高次多値変調を用いた超100G級光送受信器の研究が進められている。このような光送受信器には小型·省電力化が強く求められており、光源と集積化が可能な半導体光変調器の利用が有効となる。しかしながら半導体IQ変調器はLN-IQ変調器に比べ消光特性や変調非線形性が劣るなどの課題を持つ。本報告では半導体変調器の変調特性の課題を究明し、InP系の半導体IQ変調器を利用して高精度な64QAM信号を生成し、光ファイバ伝送にはじめて成功した。