モノリシック偏波多重送信回路のためのInP偏波変換器の試作と評価

摘要

InP系モノリシック光集積回路を用いた偏波多重伝送回路の実現をめざした導波路型偏波変換器の試作·評価結果について報告する．本素子は斜め蒸着法を用いたセルフアラインプロセスで作製される非対称構造を有しており，一般的なリッジ導波路および半導体レーザと容易に集積が可能な偏波変換素子となっている．試作した素子について特性評価を行い，1510～1575nmの広い波長帯において96％以上のTE／TM変換率を，素子長150μm，過剰損失1.6dB以下で実証した．さらに，長さの異なる同素子を用いて出力のストークスパラメータを測定することにより，変換器内での偏波の振る舞いを実験的に示した．