SiC電界誘起抵抗変化型不揮発性メモリ－MIS型およびpnダイオード型メモリ

摘要

金属／トンネル酸化層／SiO_x電子捕獲層／n-SiC／n-Si金属－絶縁体－半導体（MIS）型（構造）と金属/p 型酸化物半導体／SiO_x-SiC-Si／金属のpnダイオード型（構造）の2端子不揮発性メモリ素子を提案した．両メモリ素子共にSiO_x電子捕獲層での電子の有無に依存してバンドのポテンシャルが変化し，素子の抵抗値が変化する電界誘起型動作を原理とする．特にpnダイオード型は優れた整流特性を示し，理論的最密なクロスポイント型メモリ素子としの応用が期待される．