第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析

摘要

MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチャネル寸法ではドーパント原子の個別性がデバイス特性に大きな影響を与えるためである。我々は、最近、逆の視点からドーパント原子を量子ドットして積極的に用いたデバイスの研究を行っている。このような状況下でナノ構造内のドーパントの電子状態を調べることが極めて重要となる。今回、第一原理計算によってSiナノチャネル中にあるPドーハントのドナーレベル，イオン化エネルギー，電子状態の空間分布の3つについて調べたので報告する。