高不純物濃度のETSOI（Extremely-thin SOI）拡散層における移動度の異常な振る舞い

摘要

本論文は、高不純物濃度のETSOI拡散層におけるキャリア輸送についてはじめて調べたものである。高濃度のETSOI拡散層における電子移動度は、バルクSi中における電子移動度とは大きく異なっていることが本研究により明らかになった。SOI膜厚が5nmから10nmであるETSOI拡散層において、電子移動度はバルク移動度と比較して上昇するということが観測された。一方、SOI膜厚が2nm程度のとき、電子移動度は不純物濃度の増加に伴い著しく減少するということが明らかになった。