Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討

摘要

PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを，目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。 Pt/Hf-Si(100)積層構造を形成後、窒素中400-750℃のアニールを行いPt{sub}xHf{sub}(1-x)Siを形成した。 Pt(15nm)/Hf(8nm)-Si(100)構造に対して、750℃/5minでシリサイド化した場合、障壁高さが0.1eV低減されたことに対し、400℃/60minでシリサイド化した場合、障壁高さを0.3eV低減可能であることが分かった。 これは、400℃でシリサイド化した場合、平坦性が改善し、界面特性が向上したためと考えられる。