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【24h】

先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討-BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討

机译:高级非易失性存储器的BiCS类型堆栈研究-BiCS类型FeRAM和MRAM的基础研究

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摘要

はじめにFeRAM、MRAM,PRAM,ReRAM等のNAND型フラッシュメモリの次世代の先端不揮発性メモリの現実的な将来展望について述べた。 次にBiCSを用いたNAND型フラッシュメモリ並みの超低コストと、NAND型フラッシュメモリよりも格段に優れた高速性能を併せ持つ超低コストユニバーサルメモリを実現する際に必要な条件に関して検討した。 超低コストで高速アクセスが可能な不揮発性メモリを実現するためには、縦型の1トランジスタ型を縦に直列接続し、ゲート電圧によって基本的なランダムな読み出し、書き込み、消去が出来る必要性がある。 最後にその具体的な事例として1トランジスタ型FeRAM、Chain型FeRAM、1トランジスタ型MRAMの積層化に関する基礎検討を行った。
机译:首先,我们描述了下一代高级NAND闪存(如FeRAM,MRAM,PRAM和ReRAM)的现实未来前景。接下来,我们研究了实现具有与使用BiCS的NAND闪存相当的超低成本和明显优于NAND闪存的超低速性能的超低成本通用存储器的必要条件。为了实现可以以超低成本高速访问的非易失性存储器,必须将垂直的1型晶体管垂直串联连接,并且必须能够通过栅极电压进行基本的随机读取,写入和擦除。在那儿。最后,作为具体示例,对1-晶体管型FeRAM,链式FeRAM和1-晶体管型MRAM的堆叠进行了基础研究。

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