ラジカル窒化によるLa{sub}2O{sub}3ゲート絶縁膜への窒素導入効果－堆積時窒化によるEOT増加抑制効果

摘要

窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa{sub}2O{sub}3膜を堆積することにより、La{sub}2O{sub}3膜への窒素導入を行った。La{sub}2O{sub}3膜は電極堆積後アニール(PMA: Post Metallization Annealing)によりEOTが大きく増加する問題がある。 高温アニールによるEOT増加を窒素添加によりわずかに抑制できた。 N1s内殻準位の角度分解X線光電子分光(AR-XPS)は、界面層がSi-N結合を多く含むためにEOT増加が抑制されたことを示唆している。 また、同時窒化を行ったnMOSFETを作製した。 EOT=2.2nmであり、ピーク移動度は96.2cm{sup}2/Vsであった。