首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ >Особенности электронного строения клатратов Si_(46) и K_8Si_(46)
【24h】

Особенности электронного строения клатратов Si_(46) и K_8Si_(46)

机译:Si_(46)和K_8Si_(46)包合物的电子结构特征

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Представлены результаты расчета электронной структуры клатратов Si_(46) и K_8Si_(46) методом линеаризованных присоединенных плоских волн. В результате расчета были получены зонная структура, полные и парциальные плотности электронных состояний, а также рентгеновские эмиссионные SiK_(b1,3)- и SiL_(2,3)-спектры. Для клатрата K_8Si_(46) приводится сравнение рассчитанного SiL_(2,3)-спектра с экспериментальным.
机译:给出了通过线性化增强平面波方法计算Si_(46)和K_8Si_(46)包合物的电子结构的结果。计算的结果是,获得了能带结构,电子态的总密度和部分密度以及X射线发射SiK_(b1,3)和SiL_(2,3)光谱。对于K_8Si_包合物(46),将计算出的SiL_(2,3)谱与实验谱进行比较。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号