Методом ИК поглощения изучена природа основных примесно-дефектных кластеров, вводимых электронным облучением в кристаллы кремния с разным содержанием примесных атомов кислорода и углерода при температуре облучения Т_(обл) = 30 - 600℃. Получены зависимости эффективности образования оптически активных центров разного типа от температуры облучения. В углеродосодержащем Sii происходит радиационно-стимулированное формирование комплексов углерод замещения - кислородный димер (Т_(обл) = 450℃). При Т_(обл) = 500℃ обнаружены ранее не наблюдавшиеся центры вакансия - кислородный тример - углерод, которые обусловливают колебательные полосы поглощения 902, 956 и 1025 см~(-1).
展开▼
