Строение валентной зоны и спектральные характеристики нанопленки и объемного кристалла Mo_3Si

摘要

В рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн выполнен расчет зонной структуры, полных и парциальных плотностей электронных состояний, рентгеновских эмиссионных спектров различных серий пленки толщиной в две элементарные ячейки и кристалла Mo_2Si. Проведен анализ особенностей строения валентной зоны данных объектов в сопоставлении с известными экспериментальными данными.