Co_2MnSi（110）エピタキシヤル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の作製

摘要

サファイア基坂上にW下地層，もしくはTa/W/Cr下地層を用いてCo_2MnSiホイスラー合金薄膜を成長させた.W下地層を用いた場合，双晶成長してしまい，良質なCo_2MnSi薄膜は得られなかった．しかしTa/W/Cr下地層を用いることで単品化に成功した．この単品化したCo_2MnSi（110)ホイスラー合金を下部電極に用いたMTJを作製し磁気抵抗効果を測定した．その結果2Kで約120％，300Kにおいて約40％のTMR比が得られた．これは，Co_2MnSi（100)ェピタキシヤル電極を用いたMTJと比較して若干低い．またCc_2MnSi（100)のMTJと同様に大きな温度依存性が観測された．この原因の詳細は不明であるが，界面状態の最適化を行った上頑10ゆ電極MTJとの比較をし，詳細な議論を行う必要があると考えられる．