首页> 外文期刊>ПЕРСПЕКТИВНЫЕ　МАТЕРИАЛЫ >Charge degradation of MOS-structures under tunnel injection of electrons from silicon

【24h】

Charge degradation of MOS-structures under tunnel injection of electrons from silicon

机译：硅电子隧道注入下MOS结构的电荷降解

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《ПЕРСПЕКТИВНЫЕ　МАТЕРИАЛЫ》 |2000年第3期|共5页
作者
Andreev V.V.; Baryshev V.G.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类工程材料学;
关键词
MOS-structure; charge; degradation; silicon; electron; tunnel injection;

机译：MOS结构电荷降解硅电子隧道注入;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Charge degradation of MOS-structures under tunnel injection of electrons from silicon [J] . Andreev V.V., Baryshev V.G. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ　МАТЕРИАЛЫ . 2000,第3期

机译：硅电子隧道注入下MOS结构的电荷降解
2. Charge degradation of MOS-structures under tunnel injection of electrons from silicon [J] . Andreev V.V., Baryshev V.G. ПЕРСПЕКТИВНЫЕ　МАТЕРИАЛЫ . 2000,第3期

机译：从硅的隧道注射电子下的MOS-结构的电荷劣化
3. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanche and tunnel electron injection [J] . Journal of Applied Physics . 1985,第8期

机译：雪崩和隧道电子注入过程中在二氧化硅中产生正电荷
4. A comparative study of tunneling, substrate hot-electron and channel hot-electron injection induced degradation in thin-gate MOSFET's [C] . Fu-Chieh Hsu, Kuang-Yi Chiu Electron Devices Meeting, 1984 International . -1

机译：隧穿，衬底热电子和沟道热电子注入引起的薄栅极MOSFET退化的比较研究
5. Organic monolayers on silicon surfaces: Synthesis, characterization and studies toward their effect on charge injection at the silicon/organic solid interface. [D] . Cicero, Ronald Louis. 2001

机译：硅表面上的有机单层：合成，表征和研究其对硅/有机固体界面处电荷注入的影响。
6. Molecular Electronics Special Feature: Probing charge transport at the single-molecule level on silicon by using cryogenic ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy [O] . Nathan P. Guisinger, Nathan L. Yoder, Mark C. Hersam 2005

机译：分子电子学的特殊功能：通过使用超低温超高真空扫描隧道显微镜在硅上探测单分子水平的电荷传输
7. Single-electron charging phenomena in silicon nanopillars with and without silicon nitride tunnel barriers [O] . Pooley D. M., Ahmed H., Mizuta Hiroshi, 2001

机译：具有和不具有氮化硅隧道势垒的硅纳米柱中的单电子充电现象

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号