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超高感度交流磁界計測のための高周波キャリア型薄膜磁界センサの設計

机译:用于超灵敏交流磁场测量的高频载波型薄膜磁场传感器的设计

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摘要

1. センサから出力されるAM変調信号の側波帯およびノイズレベルはセンサ素子へ通電する電流密度に依存した.約1×10~8A/m~2以上の電流密度でノイズレベルは上昇し,側波帯レベルは電流密度に対する線形性が鈍った.2. 50Ω系の検出回路における搬送波抑制回路において側波帯を最大にするための素子のインピーダンスは100Ωであることを示した.3. バイアス磁化率の理論を元に単位面積あたり最大のインピーダンス変化率を得るためのセンサ寸法を設計した.4.20μm、長さ1mm,膜厚4.2μmのCoNbZrによるミアンダ形センサ素子を試作し,約30ΩOeのインピーダンス変化率が得られた.501kHzで4.5×10~(-8)Oeの微小交流磁界検出感度を得た。
机译:1.从传感器输出的AM调制信号的边带和噪声电平取决于激励传感器元件的电流密度。噪声水平在大约1×10到8 A / m到2或更高的电流密度下增加,并且边带水平相对于电流密度线性度降低。 2.表明,在50Ω检测电路中,用于使载波抑制电路中的边带最大化的元件的阻抗为100Ω。 3.根据偏磁化率的理论,我们设计了传感器尺寸,以获得每单位面积阻抗的最大变化率。使用CoNbZr的长度为4.20μm,长度为1mm,厚度为4.2μm的Mianda型传感器元件的原型被获得,并且阻抗变化率约为30ΩOe。在501 kHz时获得的微小AC磁场检测灵敏度为4.5×10〜(-8)Oe。

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