超高感度交流磁界計測のための高周波キャリア型薄膜磁界センサの設計

摘要

1. センサから出力されるAM変調信号の側波帯およびノイズレベルはセンサ素子へ通電する電流密度に依存した．約1×10~8A/m~2以上の電流密度でノイズレベルは上昇し，側波帯レベルは電流密度に対する線形性が鈍った．2. 50Ω系の検出回路における搬送波抑制回路において側波帯を最大にするための素子のインピーダンスは100Ωであることを示した．3. バイアス磁化率の理論を元に単位面積あたり最大のインピーダンス変化率を得るためのセンサ寸法を設計した．4.20μm、長さ1mm，膜厚4.2μmのCoNbZrによるミアンダ形センサ素子を試作し，約30ΩOeのインピーダンス変化率が得られた．501kHzで4.5×10~(-8)Oeの微小交流磁界検出感度を得た。