Метод АСМ широко применяется в полупроводниковой промышленности. Он позволяет проводить неразрушающий контроль качества вафлеобразных структур в трехмерном пространстве. По мере уменьшения размеров полупроводниковых устройств возрастает потребность в измерительных зондах с высоким относительным характеристическим коэффициентом (aspect ratio of contact). Основные тенденции показаны на рис. 1, где обозначено: 1 - глубина, 2 - диаметр, 3 - aspect ratio of contact (A/R), 4 - год выпуска, 5 - размер половины выступа ЗУПВ DRAM. Из рис. 1 видно, что в 2007 г. для контроля контактных структур диаметром 70 нм при глубине 1000 нм потребуются зонды с (A/R), равным 15. Обычные методы АСМ (в контактном и бесконтактном режиме, а также в режиме прерывистого контакта) малоэффективны, т. к. при малом диаметре и большой величине развиваются нежелательные поверхностные силы. При этом сканирующий зонд может быть поврежден или даже сломан. В описываемом методе АСМ измерения проводятся при полном отсутствии механических напряжений (даже при больших значениях A/R).
展开▼
