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単結晶AIN膜の新成長技術を開発住友金属鉱山と東北大多元研共同

机译:开发单晶AIN膜住友金属矿和东北大学Tamoto Lab的新生长技术。

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摘要

住友金属鉱山は、東北大学多元物質科学研究所との共同研究によって、窒化サファイア基板上に単結晶窒化アルミニウム(AIN)膜を作製する技術を開発した。開発した単結晶成長法は、新たに開発したGa-Alフラックスを用いる液相成長法で、従来法のように高温、高圧を必要とせず、常圧で低い成長温度で高品質な結晶の高速成長を可能としている。
机译:住友金属矿山公司与东北大学多学科材料科学研究所合作,开发了一种在蓝宝石氮化物衬底上制造单晶氮化铝(AIN)膜的技术。所开发的单晶生长方法是一种液相生长方法,该方法使用了新开发的Ga-Al助熔剂,与传统方法不同,该Ga-Al助熔剂不需要高温和高压,并且在常压和低生长温度下可以得到高速高质量的晶体。它使增长成为可能。

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