イオン注入装置

摘要

このような環境の中、半導体及びディスプレイ向けのイオン注入装置いずれにおいても最先端デバイスの製造に寄与する装置開発を継続して行っている。半導体製造用イオン注入装置EXCEEDでは、さらなる微細化への対応および歩留まり改善のため、金属汚染やパーティクルの徹底的な低減を実施し顧客より高い評価を得た。またクラスターイオン注入では、注入後の欠陥抑制効果によるメモリやイメージセンサの特性改善を顧客にプロセス提案、試験を継続実施中である。パワーデバイス向けイオン注入装置IMPHEATはウェーハホルダを使用したマルチサイズ基板の自動搬送システムおよび高抵抗SiCへの注入対応を開発し、量産機としての汎用性を高めた。ディスプレイ向けのイオン注入装置は6世代ガラス基板向け装置“iG6”のマーケットシェア100%を引き続き堅持し、その地位に甘んじることなく継続的な生産性改善案の提案および装置グレードアップの開発を実施している。また次世代大型基板向けの注入装置の開発にも着手した。また新たなカテゴリーである化合物半導体剥離用のイオン注入装置“iG4HY”の開発を行い顧客にリリースを行った。今後高周波デバイスや太陽電池製造への適用拡大が期待される。