情報システム装置の中性子照射試験とフィールドエラーとの相関

摘要

中性子照射試験により情報システム装置のソフトエラー耐性評価を行った．メモリ構成の異なる2台の装置のソフトエラー比について，照射試験とフィールド試験の相関を確認した結果，部分照射試験でもフィールド試験と同等の結果を短時間で評価できることがわかった．また、装置の特定部位にのみ中性子を照射する部分照射試験によって，中性子に対して脆弱な部位を特定できることを確認した．