データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ

摘要

データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリを提案する。従来のNANDフラッシュメモリに代わりFe-NANDを導入することによって一万回から一億回の書き換え回数、書き替え消去電圧が20Vから6Vになり低電圧動作が実現する。本論文ではランダム書き込み速度の向上を目的として、バッチライトアルゴリズムを導入した。その結果SSDへのランダム書き込み速度を2倍にすることが可能である。しかしバッチライトアルゴリズムを導入すると電源遮断によるデータ破損の危険性が発生し、信頼性の低下を招く。これを防ぐために強誘電体NMOSトランジスタで構成された不揮発性ページバッファを導入することにより問題を解決した。以上よりFe-NANDフラッシュメモリはデータセンター用SSDに最も適していると考えられる．