耐ばらつき回路技術

摘要

半導体製造プロセスの微細化に伴って，素子のランダムなばらつきの問題が顕在化しつつある．微細化によって素子遅延のティピカル値は削減される一方，ワースト値は，ばらつきの増大により，平均（ティピカル）値程には削減されない（図1）．