産総研、ばらつきが少ない超小型14nm世代立体型トランジスタを試作集積回路の消費電力低減と性能向上につながる技術

摘要

産業技術総合研究所は、特性ばらつきが世界最小の14nm世代立体型トランジスタ（フィンFET）を試作した。フィンFETの特性ばらつきの革な原因は、金属ゲート電極材料の物性ぱらつきである。今臥物性ばらつきが少ない非晶質の金属ゲート電極葡料を開発じ、特性ばらつきが世界最小のフィンFETを試作した。14nm世代以降のSRAM（Static Random Access Memory）をはじめとする集積回路では、素手の特性ばらつきによる性能向上の阻害と歩留まりの低下が最大の課題であるが、今回の成果によりその課題が解決できると期待される。