Chemo-Mechanical Grindingに関する研究－第2報：スクラッチ評価

摘要

シリコンウエハの大口径化に伴い加工の固定砥粒化が進められている．著者らは研削加工のみで従来のラッピング·ポリシングと同等な面性状を得ることを目標に，超加工機械を開発し，表面粗さRa < 1nm (Ry < 5～6nm)，平坦度< 0.2μm/φ300を達成した．しかし，サブサーフェスにはアモルファス層や転移層など加工変質層が認められた．そこで，現在は，機械的な研削加工に化学作用を援用したCMG (Chemo-Mechanical Grinding)により加工変質層の問題を克服しようと試みている．しかしながら，固定砥粒加工ではスクラッチが懸念される．このような問題を解決し，スクラッチや加工変質層のない砥石が開発できればシリコンウエハだけでなく現在のデバイスウエハCMP (Chemical Mechanical Polishing)に適用することが可能となる．本報では砥石と工作物の接触形態の違いによるスクラッチの特徴について報告する．