Описан метод измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в различных полупроводниках. Метод основывается на том, что зависимость коэффициента разделения носителей заряда на р-я-переходе от длины волны падающего излучения в предложенной структуре является постоянной в широкой области коротких длин волн. По результатам измерения спектральной чувствительности при двух значениях длин волн, одно из которых выбирается в той области, в которой квантовый выход заведомо равен единице, вычисляется внутренний квантовый выход для второго значения длины волны.
展开▼
