Приведены результаты экспериментального исследования влияния высоты рельефа отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП), на параметры паразитной наноструктуризации их поверхности. Работа выполнена с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P-47. Установлена коротковолновая граница применимости отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на тонких слоях ХСП без какой-либо апостериорной обработки, равная 80 нм. Начиная с нее, голограммы, характеризующиеся высотой рельефа, оптимальной с точки зрения максимальной дифракционной эффективности, удовлетворяют по параметру среднеквадратичной шероховатости их поверхности σ критериям Марешаля σ ≤ λ/27 и допустимого светорассеяния σ≤λ/100 и тем самым обеспечивают в восстановленном с их помощью изображении допустимый для прецизионных оптических систем уровень светорассеяния и аберраций.
展开▼
