...
首页> 外文期刊>Приборы и техника эксперимента >ЛАБОРАТОРНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПРЯМОГО ИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ
【24h】

ЛАБОРАТОРНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ПРЯМОГО ИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ

机译:通过直接离子沉积获得碳化硅薄膜的实验室安装

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Описана лабораторная установка прямого ионного осаждения, предназначенная для получения пленок карбида кремния в условиях конденсации ионов углерода и кремния с энергией ≥100 эВ. В установке использован оригинальный вакуумно-дуговой источник углеродно-кремниевой плазмы с протяженным катодом и неоднородным магнитным полем. Изложены конструктивные особенности плазменного источника, приведены основные технологические характеристики установки и режимы получения нанокристаллических пленок карбида кремния.
机译:描述了用于直接离子沉积的实验室设备,该设备用于在能量≥100 eV的碳和硅离子凝聚的条件下生产碳化硅膜。该装置使用碳硅等离子体的原始真空电弧源,具有扩展的阴极和不均匀的磁场。描述了等离子体源的设计特点,介绍了装置的主要技术特征以及获得纳米晶碳化硅膜的方式。

著录项

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号