ГЕЛИЕВЫЙ КРИОСТАТ С ОТКАЧКОЙ ПАРОВ ~3He ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ

摘要

Описана конструкция криостата с откачкой паров ~3He, предназначенного для оптических измерений с высоким пространственным разрешением вдиапазоне температур 0.45-4.2 К. Криостат снабжен четырьмя окнами из плавленого кварца. Исследуемый образец устанавливается внутри камеры с жидким ~3He на держателе, минимизирующем влияние вибраций и термических дрейфов, и может находиться в камере при температуре 0.45 К более 20 ч. С помощью криостата изучена фотолюминесценция полупроводниковых GaAs/AlGaAs гетероструктур. Обнаружено, что в структуре с двумя туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs шириной 120 А порог мощности накачки, необходимой для возникновения узкой спектральной линии, соответствующей бозе-конденсату пространственно-непрямых диполярных экситонов, уменьшается в 6 раз при понижении температуры от 1.5 до 0.45 К. В образце с широкой (250 А) одиночной квантовой ямой GaAs при температуре 0.45 К получены картины распределения люминесценции диполярных экситонов внутри 5-микронной кольцевой потенциальной ловушки, имеющие пространственное разрешение не хуже 1.5 мкм.