高付加価値を生み出す固定砥粒研磨技術（シリコンウェハ加工）：Chemo-Mechanical Grinding

摘要

半導体業界のロードマップによると，2003年にSi ウェハは現行のφ200mm (8")からφ300mm (12")に移行すると予測されている。 すでに2001年から大手半導体メーカー各社がφ300mm対応のファンドリーを立ち上げつつある。 現在φ200mmウェハが出荷枚数の5割以上を占めているが，図1に示すようにφ300mmウェハの出荷量が急増している。 また2014 年以降はウェハ直径がφ400mm (16")になるともいわれている。 一方，デザイン·ルールが小さくなるにつれ，ウェハの加工精度がますます厳しくなる。 たとえば，第1世代4ギガDRAMに適用される0.13φmのデザイン·ルールのプロセスでは，SFQR＜0.13mm，GBIR＜1.6 mmの平坦度が求められている。 したがって，φ300 mm以上のウェハについては，両面ミラーフィニシングが必須である。