次世代向けエッジポリツシュ装置「EP450W」およびドライ平坦化装置「DCP300X」

摘要

半導体デバイスには、高性能化と低価格化という2つの要求に対してデバイスを微細化するという非常に有効な手法が存在し、現在まで用いられ続けてきている。この手法は、採用されはじめたデバイスの積層化などの新手法と並んで今後も継続されていくと考えられており、ITRS2007には2022年までの微細化に関するロードマップが示されている。一方、半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハについては、そこに形成されるデバイスが微細化されていくに従い、求められる平坦度の要求が、ますます厳しくなってきている。また、半導体デバイスの生産効率を向上させる目的でウェーハ径の拡大も提案されてきており、今後、生産に使われるウェーハ径が450mm化される計画が語られている。当社においては、これらの要求を満たすウェーハ生産手段の開発を進めているが、その中から本稿では、450mmシリコンウェーハのエッジ部を研磨する装置「EP450W」および300mmシリコンウェーハの高平坦度加工を行うドライエッチング装置「DCP300X」について報告する。