広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器

摘要

GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）を用いたMMIC（Monolithic Microwave Integrated Circuits）構成のC-Ku帯115%比帯域高出力増幅器について報告する．試作を行った広帯域高出力MMIC増幅器はC-Ku帯（115%比帯域）の広帯域に渡って平均で出力電力20.6W，PAE（Power Added Efficiency）18.3%の高出力かつ高効率が得られた．この出力電力はKu帯の周波数まで動作し比帯域100%以上のGaN HEMT MMIC増幅器としては最大の出力電力である．また面積当たりの出力電力も過去文献に対して最も高い結果が得られた．