首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 光エレクトロニクス. Optoelectronics >非相反移相効果を用いたシリコン細線導波路型光アイソレータの高アイソレーション動作
【24h】

非相反移相効果を用いたシリコン細線導波路型光アイソレータの高アイソレーション動作

机译:利用不可逆相移效应实现硅细线波导型光隔离器的高隔离操作

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

シリコン光集積回路に用いるシリコン細線導波路型光アイソレータについて述べる。磁気光学材料であるCe:YIGを、直接接合技術を用いてマッハツェンダ干渉導波路上に接合することにより、非相反移相効果を用いた光アイソレータを製作した。干渉計の合分波に用いる3dBカップラに、損失の小さい分布結合型方向性結合器を用いることで、デバイスの挿入損失を大きく低減した。製作したデバイスで、波長1552nmにおいて28dBのアイソレーションが得られた。
机译:将描述在硅光学集成电路中使用的硅细线波导型光学隔离器。通过使用直接接合技术将作为磁性光学材料的Ce:YIG接合在Machzenda干涉波导上,从而制造出具有不可逆相移效应的光学隔离器。通过使用分布式耦合型定向耦合器大大降低了设备的插入损耗,而用于干涉仪双工的3dB耦合器损耗很小。使用制造的设备,在1552 nm的波长下可获得28 dB的隔离度。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号