RFスパッタリングによるアモルファスSi／SiO2超格子構造の作製とその発光特性

摘要

RFスパッタリングによりアモルファスSi／SiO2超格子を形成した．Si層及びSiO2層の厚さを制御す虚ことによりSiクラスターのサイズを変えた試料を作製し，その光学特性を比較検討した．試料の赤色発光ピ岬ク挿，1100℃のアニールにより，Siの含有量に対して低エネルギー側（長波長側）にシフトする傾向を見せた.また｝1150～1250℃のアニールによって室温で紫外域の発光が発現することを見出した.紫外域におけるフォトルミネプセンス（PL）のピーク位置は3．4eV（波長0，37μm），半値全幅（FWHM）は0．20eVであった.