a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長

摘要

クラックフリーの厚膜AlNを得るためには，周期溝加工を施したAlN／Sapphire基板を用いる方法が有効である。本研究で用いている周期溝加工を施すための下地c面AlN／a面Sapphire基板は、下地の段階から減圧HVPE法を用いて結晶成長を行った。しかしa面Sapphire上AlNは、初期成長温度と表面処理の有無によって面方位が90°変化する。したがってAlNの合体面の関係から、加工する溝のストライプ方向がa面Sapphireの＜0001＞と＜1-100＞に沿う2通り考えられる。そのため本研究では面方位の異なる溝加工AlN／a面Sapphireについて，溝加工方向による成長形態の比較·検討を行った。