撥液レジストを用いた銀ナノ粒子電極の微細パターン形成

摘要

近年、省エネルギー性の観点から、印刷法を用いた電子デバイスの作製技術が注目されている。我々は、基板表面に親液部と撥液部をパターニングし、その基板上に銀ナノ粒子などの塗布成膜できる電極材料をスピンコート成膜するだけで微細な電極を形成できる手法を報告している［1］。この手法では、プラズマ表面処理により親液部と撥液部をパターニングしており、チャネル長が50μm程度の有機トランジスタが作成可能である。しかしながら、この手法では、トランジスタに要求されるチャネル長10μm以下の実現は困難である。本研究では、UV 硬化性で硬化後に撥液性を示す撥液レジストを用いて撥液部と親撥液部をパターニングすることで、塗布成膜した電極でチャネル長10μm以下の非常に微細な電極を作製することに成功した。本手法をソース·ドレイン電極に用いた有機トランジスタの特性は、移動度0.03cm~2/Vs、オン／オフ比10~6を示した。