半導体装置およびその製造方法

摘要

この半導体装置は、金属からなる接続プラグの断面に略均一にナノ材料が配置されぞいるか、あるいは、金属からなる配線の底面に略均一にナノ材料が形成されていることを特徴としている。このナノ材料が繊維状のカーボンナノ材料、粒子状のカーボンチノ材料またはシリコン細線であり、基板に対して略垂直に配向している。 この半導体装置の配線構造を模式的に図に示す。配線（11）は金属層（39）からなり、素子または配線が形成された半導体基板上に形成された絶縁膜（10）上に形成きれている。 這の配線を構成する金属層にはカーボンチノチューブ（14）が混入きれでいる。 このカーボンチノチューブは、絶縁膜上に形成されたニッケルからなる粒子（15）上に形成されぞいる。 このニッケル粒子は、カーボンナノチューブの成長の際に触媒として働き、カーボンナノチューブがこの粒子を核として成長している。