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高繰り返し、高平均出力LD励起固体レーザーの開発

机译:高重复,高平均功率LD泵浦固态激光器的开发

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摘要

次世代半導体露光技術として注目されている極端紫外線(EUV)光源露光技術の開発が進められている。 EUV発生には、放電プラズマまたはレーザー生成プラズマを用いる2つの方法が提案されている。 レーザー生成プラズマ法では、数ナノ秒の高ピークレーザーを数kHzで発生させる必要がある。 我々は、このようなレーザー装置を実現するために、5kW (1J/5kHz)の固体レーザー装置の開発を進めている。 Fig.1にシステムの全体構成を示す。 種光の安定供給と制御性を考慮して、フロントエンドにはファイバー発振器を用いている。 発振器から出た光は再生増幅器により5Wまで増幅された後、4mmφのCWLD励8台の12mmφロッド増幅器により5kWまで増幅される。 段間にはスペーシャルフィルターを配置し、熱レンズ補償とイメージ転送を行い、ビーム品質の劣化を抑制している。 ここでは、主増幅器の励起分布の均一化と動作特性について述べる。
机译:极紫外(EUV)光源曝光技术的开发正作为下一代半导体曝光技术而受到关注。已经提出了两种使用放电等离子体或激光产生等离子体产生EUV的方法。在激光产生等离子体方法中,必须在几kHz下产生几纳秒的高峰值激光。我们正在开发5kW(1J / 5kHz)固态激光器,以实现这种激光器。图1显示了系统的整体配置。考虑到稳定提供种子光和可控制性,将光纤振荡器用于前端。从振荡器发出的光被再现放大器放大到5 W,然后由八个具有4mmφCWLD激励的12mmφ棒状放大器放大到5 kW。在级之间放置一个空间滤波器,以补偿热透镜并转移图像以抑制光束质量的下降。这里,将描述主放大器的激励分布的均质化和操作特性。

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