狭い強磁性共鳴線幅を有するCoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性と薄膜インダクタへの応用

摘要

携帯電話に代表される高周波無線通信機器の発展に伴い、高周波磁性薄膜を用いたマイクロ磁気デバイスに対する期待が高まっている。磁性薄膜の強磁性共鳴周波数近傍に発生する強磁性共鳴損失は、デバイスの損失を増加させるため、磁性薄膜を高周波磁気デバイスに適用するには、強磁性共鳴損失の線幅を可能な限り小さくすることが求められる。我々の研究グループは、グラニュラー磁性層と絶縁層をnmオーダーで積層した積層グラニュラー磁性薄膜において、微細構造を制御することにより非常に鋭い強磁性共鳴ピークが形成されることを見出している。本研究では、成膜条件を変化させて作製したCoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー磁性薄膜を解析することにより、高周波磁気特性と微細構造の関連性を明らかにすると共に、薄膜インダクタの磁心として用いた際の特性変化について検証を行った。