原子拡散を利用したフラット·パターニング法による［001］L1_0-FePtRh強磁性－反強磁性パターンの作製

摘要

L1_0-FePtRh薄膜は、状態図において、高K_u強磁性（FM；800＜M_s＜1100emu／cm~3，2.0×10~7＜K_u＜7.9×10~7 erg／cm~3）相と反強磁性（AF）相が隣接している。FM-AF相境界付近では、磁化は1at％以内の組成変化で急峻に変化する。例えばこのFePtRh連続膜上に第三元素をナノスケールで部分的に配置し、それを拡散させて組成を局所的に制御すれば、PM相とAF相からなるドットパターンを形成することができると考えた。この場合には、最終的な形状的加工と埋戻し工程が必要ないことから、ドットには加工ダメージや表面酸化層、歪み等が原理的に存在しないことが期待される。